Luego del éxito de los primeros SoC ARM de 64 bits fabricados con el proceso de manufactura a 20nm planar (tradicional) de TSMC (como el SoC Apple A8), ARM y TSMC han firmado un nuevo acuerdo para la optimización de los futuros SoC hacia los futuros procesos de manufactura FinFET.
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A diferencia de los procesos de manufactura a 20nm y anteriores (28nm, 40nm, 55nm, etc), los que usan litografía planar (transistores 2D apilados horizontalmente); empezando desde el nuevo nodo a 16nm, TSMC usará la nueva litografía FinFET (transistores 3D apilados verticalmente), proceso que permitirá la construcción de SoCs con mayor densidad, rendimiento, menor consumo, generación de calor y mayores frecuencias de funcionamiento.
El nuevo acuerdo entre ARM y TSMC beneficiará a todo el ecosistema ARM, ofreciendo a sus miembros, significativos ahorros en el desarrollo y optimización de sus productos hacia los nuevos nodos de manufactura 3D de TSMC.
En cuanto a la disponibilidad, TSMC espera tener listo su proceso de manufactura a 10nm FinFET entre octubre y diciembre del próximo año (2015), fecha donde se empezarán a producir los primeros prototipos, por lo que los primeros SoCs ARM a 10nm FinFET comerciales, podrían estar disponibles entre enero y junio del 2016.
Link: DigiTimes.
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