Intel mostrará obleas fabricadas a 10nm en su evento IDF 2014

Intel mostrará obleas fabricadas a 10nm en su evento IDF 2014

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Intel se alista para revelar sus avances en procesos litográficos mostrando un waffer fabricado con su proceso de manufactura a 10nm Bulk Tri-Gate.

El mes pasado TSMC reveló que planean acelerar su calendario de lanzamientos para sus procesos litográficos, anunciando que para el 2016 tendrán listo su proceso de manufactura a 10nm Bulk FinFET; pero no son la única empresa con planes similares.

Según datos filtrados, al parecer Intel tiene planeado mostrar sus avances en procesos litográficos, exponiendo públicamente sus primeras obleas fabricadas con su proceso de manufactura a 10nm Bulk Tri-Gate (FinFET), durante su evento Intel Developer Forum (IDF) 2014, el que se realizará en San Francisco (EEUU).

El proceso de manufactura a 10nm de Intel aún está en etapa experimental, por lo que no se espera que los chips comerciales basados en él, estén disponibles en algún momento del 2016.

Durante el evento IDF 2014, Intel planea también anunciar sus SoC Core M Series “Broadwell-M” para Tablets y 2-en-1, sus primeros productos fabricados con su proceso de manufactura a 14nm Bulk Tri-Gate, los que se espera estén disponibles en enero del 2015.

Link: Digitimes.

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