TSMC acelera sus planes: 10nm para el 2016

TSMC acelera sus planes: 10nm para el 2016

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TSMC acelerará la transición hacia sus nuevos procesos de manufactura a 16nm y 10nm planar y FinFET.

En marzo de este año, TSMC inició oficialmente la producción en masa de chips a 20nm, su más reciente y menor nodo de manufactura de semiconductores; aunque cabe mencionar que únicamente inició la elaboración de chips en sus nodos Bulk: LP, HPM y HP, usados para la fabricación de SoCs y micro-controladores de bajo consumo.

Según nueva información, al parecer TSMC tendrá todos sus nodos a 20nm operativos entre julio y septiembre de este año (ello incluye al nodo de manufactura Bulk a 20nm SHP usado para la fabricación de GPUs).

Con lo anterior TSMC por fin tendrá operativos todos sus nodos de producción a 20nm, los que se vieron plagados por múltiples problemas y postergaciones (originalmente debió haber estado listo a mediados del año pasado); problemas que al parecer no tendrán sus sucesores.

TSMC tiene planeado acelerar la introducción de sus futuros procesos de manufactura a 16nm y a 10nm; los que estarán disponibles el 2015 (16nm) y 2016 (10nm); medida con la que pretende adelantarse a sus competidores (ni GlobalFoundries ni Samsung ni UMC tienen fechas definidas para su proceso de manufactura a 10nm).

Una característica interesante de los nuevos nodos a 16nm y 10nm de TSMC, es que aparte de las variantes tradicionales conformadas por transistores planares, también estarán disponibles variantes del nodo con transistores 3D “FinFET”, nodo que permitirá la construcción de chips con menor área (los transistores 3D permiten su alineación tanto de forma horizontal como vertical) y un menor consumo y generación de calor.

Link: SweClockers.

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