Samsung comenzó la fabricación de sus chips de almacenamiento flash V-NAND 3D, que según afirma son el doble de rápido, y hasta 10 veces más durables que la memoria flash utilizada actualmente en los dispositivos móviles.
PUBLICIDAD
La memoria denominada V-NAND emplea una estructura 3D, en el que los módulos de almacenamiento se apilan verticalmente, según Steve Weinger, director de marketing de NAND de Samsung Semiconductor, una división de Samsung.
Samsung ya está produciendo los nuevos chips de memoria flash en gran volumen, y ha enviado unidades a las empresas para calificación y pruebas. La tecnología probablemente aparecerá este año, en las unidades SDD para empresas, y el próximo año, en los dispositivos móviles, dijo Weinger.
La memoria V-NAND 3D difiere notablemente de la memoria flash NAND convencional, en que los módulos de almacenamiento se colocan lado a lado. Se apilan 24 capas NAND en un paquete de chip, con cada pila conectada por una interconexión de propiedad, que Weinger describe como la “salsa secreta”, que hace que el almacenamiento en 3D sea más rápido que el NAND convencional.
El apilamiento 3D también permite construir productos flash con mayor capacidad. Los productos iniciales podrían estar disponibles con capacidades que van desde 128GB hasta 1TB.
Esta es la primera vez que la tecnología de apilamiento 3D se ha utilizado en la memoria flash NAND, de acuerdo con Weinger. Samsung se está moviendo hacia el diseño 3D, ya que la colocación de dispositivos flash NAND horizontalmente, se ha convertido en un reto con los tamaños de chips en contracción, según Weinger.
Link: Samsung starts producing fast, super-durable 3D vertical NAND chips (pcworld.com)
También pueden comentar en nuestro foro.