Hybrid Cube Memory ofrecerá 15 veces el ancho de banda de la DRAM

Hybrid Cube Memory ofrecerá 15 veces el ancho de banda de la DRAM

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Memorias con múltiples capas superpuestas incrementarán el rendimiento de los supercomputadores.

Hace algunas horas hablábamos sobre las limitaciones del ancho de banda en los CPU/APUs actuales en las PC de escritorio y portátiles; pero una situación similar se atraviesa en el segmento de los supercomputadores, donde el limitado ancho de banda de las memorias DRAM tradicionales (DDR) es una de los mayores cuellos de botella que limitan su rendimiento.

Fabricantes de chips de memoria como Hynix, Micron y Samsung piensan que tienen la solución a dichos problemas con sus chips de memoria multi-capa “3D” Hybrid Memory Cube (HMC), memorias conformadas por múltiples capas DRAM superpuestas verticalmente unas sobre otras interconectadas por un controlador VIA (Vertical Interconnect Access).

Se estima que los primeros módulos de memoria conformados por chips Hybrid Memory Cube fabricados con procesos de manufactura FinFET (3D) tendrán capacidades de entre 2 y 4GB, y ofrecerán un ancho de banda bidireccional de 160GB/s (casi 15 veces mayor a los 11GB/s de DDR3 y ocho veces superior a los 20GB/s de DDR4).

Gracias a su optimización para los procesos de manufactura 3D (FinFET) Hybrid Memory Cube permitirá la construcción de módulos de memoria con un consumo energético 70% inferior al de los actuales módulos DDR3, pues su propia naturaleza vertical requiere de menos líneas de cobre en la circuitería de los módulos de memoria basados en ella, además de requerir una menor frecuencia de funcionamiento.

Inicialmente los módulos de memoria basados en Hybrid Memory Cube estarán disponibles en dos interfaces físicas de conexión al procesador del sistema anfitrión: corto alcance (con un ancho de banda de hasta 28GB/s por pin) y ultra-corto alcance; el primero muy similar a las interfaces usadas en las actuales tarjetas madre (módulos de memoria ubicados a hasta 25cm de distancia del CPU).

Se espera que los módulos Hybrid Memory Cube con interfaz de corto alcance estarán disponibles entre julio a diciembre de este año y estarán dirigidas a equipos de basados en FPGAs, ASICs y ASSPs. Los módulos HMC con interfaz de ultra-corto alcance estarán disponibles el próximo año.

Link: New Hybrid Memory Cube spec to boost DRAM bandwidth by 15X  (ComputerWorld)

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