IBM siempre se ha destacado por su área de investigación y desarrollo. Es por esto que hoy han anunciado su más reciente innovación en el área de las memorias.
Se trata de un tipo de memoria llamado, memoria de cambio de fase (o phase change memory PCM) el cual puede tener un rendimiento hasta 100 veces mayor al de una memoria NAND flash común (utilizada en SSD).
Al igual que las memorias NAND estas memorias PCM, pueden retener la información incluso después de haberse cortado el suministro de corriente, pero con la gran diferencia que no tienen que marcar a los archivos existentes que se quieran eliminar, para luego sobrescribir con nueva información. Se podría decir que es un TRIM integrado que funciona en todo momento y no requiere de software adicional.
Otra de las cosas sorprendentes es que IBM asegura que estas memorias pueden aguantar hasta 5 millones de ciclos de escritura, comparados a los tan solo 10.000 de las memorias normales o 100.000 de las de uso industrial. Es de esperar que la implementación a nivel mundial de este tipo de memorias sea para el 2016, y por el momento podría estar disponible en un numero limitado de smartphones (probablemente como pruebas de laboratorio)
Link: IBM announces computer memory breakthrough (ComputerWorld)
