Memorias con tecnología DFG-FET: Adiós RAM y flash

Memorias con tecnología DFG-FET: Adiós RAM y flash

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tecnología intercambiable que alterna entre estado volátil y no-volátil

Los chips de memoria actuales son muy populares y están presentes en un gran número de componentes como memorias para PC (RAM), memoria de video (VRAM), discos sólidos /flash (SSD) entre otros; pero dependiendo del tipo de dispositivo usado este integra uno de los 2 tipos de chips de memoria existentes: volatil (usado en RAM, cache, VRAM, etc) y no-volatil (usado en dispositivos de almacenamiento). Científicos de la Universidad Estatal de Carolina del norte están desarrollando una memoria “universal” que pretende acabar con el actual esquema: volátil y no-volátil.

La nueva tecnología de memoria en desarrollo es conocida con el nombre de DFG-FET (Dual-Floating Gate Field Effect Transistors), chips de memoria que serán capaces de intercambiar velozmente su estado de funcionamiento entre los modos volátil y no-volátil ofreciendo lo mejor de los 2 mundos en un único chip, además de tener menores requerimientos de potencia (menor consumo), ofrece reducir el número de componentes en los equipos/dispositivos de cómputo, y permitirá la creación de equipos con encendido/reposo/reanudación instantáneo(a); por lo que podría convertirse en el sustituto natural de los actuales chips de memoria en sus 2 variedades.

DFG-FET tendrá una gran resistencia a los cortes de energía, tan sólo necesitando una pequeña batería la cual le permita cambiar de su estado volátil al no-volátil, preservando los datos en memoria y permitiendo reanudar el equipo al estado antes del corte de energía casi inmediatamente. Aún se desconoce su disponibilidad, pero presumen que será un duro competidor de los chips Memristors de HP.

Link: New Developed Memory Replaces RAM and SSDs, Promise to Revolutionize Computing (Softpedia)

Link: DFG-FET Tech Promises to Replace RAM, Flash (Bit-Tech)