Samsung será pionero con sus NAND Flash de 20 nm

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Miniaturización es el lema

Es en momentos como estos en que me embarga la nostalgia. Dicen que todo tiempo pasado fue mejor, pero esa máxima no va de la mano con la tecnología.

El año pasado les contábamos cómo Toshiba presentaba su nuevo proceso de 32 nm y sería la delicia de Apple. Y hace 3 años atrás (uff, cómo pasa el tiempo), en esta misma sección se hablaba del revolucionario proceso de 51 nm de Samsung, llegando un máximo de 16 GB de capacidad. Pues ha llegado el turno de nueva tecnología de punta de la mano de Samsung.

Tan sólo hace unos cuantos días Toshiba mostraba su nuevo proceso de 25 nm y ahora la gigante coreana contraataca con sus 20 nm. Mientras los occidentales nos peleamos por quién la tiene más grande, los asiáticos se pelean por quién la tiene más pequeña. Estamos hablando de tecnología, por supuesto.

Por el momento se están probando tarjetas MLC NAND 20 nm de 32 GB, pero se espera que en poco tiempo más las veamos dentro de nuestras queridas SD’s, con capacidades de 4 a 64GB.

Toda esta modernización trae consigo de la mano memorias más baratas y veloces debido al incremento en la densidad de estas. Samsung dice (aunque el dato viene de muy cerca) que sus nuevas memorias serás más confiables y 30% más rápidas que las de 30 nm. Las memorias serán de clase 10 (velocidad de lectura de 20MB/s y velocidad de escritura de 10MB/s).

El sólo hecho que bajen de precio es una excelente noticia y nosotros los consumidores estaremos esperando a que lleguen al mercado. Es lo lindo que tiene la tecnología.

Link: Samsung first with 20-nm NAND Flash: cheaper, faster SD cards on the way (engadget)