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CHW 31/10/2009

IBM presenta DRAM más densa y veloz de 32nm SOI

Velocidad, ahorro de energía y confiabilidad desde servidores hasta electrónica de consumo

IBM desarrolló con éxito un prototipo del dispositivo de memoria dinámica sobre chip más pequeño, denso y veloz de la industria de semiconductores con tecnología de silicio sobre aislante (SOI) en fabricación de 32 nanómetros.

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La compañía presume que su tecnología SOI es capaz de mejorar hasta un 30% el rendimiento del chip a la vez que reduce hasta 40% el consumo de los chips, pues la cubierta aislante reduce la pérdida (leakage) aumentando la eficiencia del flujo eléctrico.

Este chip de prueba ofrece mayor densidad, capacidad y velocidad que las memorias SRAM (Static RAM) de 32 y 22 nm lo cuál la hace comparable con lo que podría rendir una SRAM fabricada en 15nm; a pesar de su proceso de fabricación es más pequeña que las celdas SRAM de 22nm que anunció la misma IBM en agosto del año pasado.

Los tiempos de ciclo y latencia alcanzan 2 nanosegundos, utiliza cuatro veces menos energía en reposo y su tasa de errores por carga eléctrica llega a ser mil veces menor, todas estas medidas se traducen en mejoras de rendimiento y menor consumo y por su densidad un menor tamaño beneficiando a todos los sectores, por ejemplo móviles con menor tamaño y mayor autonomía, o servidores más veloces y con menor consumo.

Entre otras cosas IBM ya está trabajando con fundiciones en adoptar los nuevos procesos y ARM ya se encuentra desarrollando librerías de diseño acordes a la nueva tecnología e IBM amplió su colaboración para incluir la tecnología de 22 nm lo cuál dará acceso temprano a ARM al futuro nodo de proceso.

Fuente: Comunicado Por E-Mail

Para mayor información Visiten www.ibm.com/technology