La fabricante Hynix Semiconductor anuncia la segunda generación de memorias 1Gbit (128MB) en formato DDR3, la que esta basada en el proceso de 54nm. Un nuevo diseño y menor tamaño de la producción permite que esta generación sea mucho más eficiente energéticamente.
Actualmente el 87% del mercado utiliza 1Gb DDR3, por lo que la nueva revisión de Hynix viene a fortalecer más la industria de memorias de tal densidad, esperando que para el 2011 sea sólo un 50% dando paso a otras densidades de menor tamaño. Estas memorias operan con tan sólo 1.5 V, reduciendo hasta en un 30% el consumo respecto a la versión anterior.
La tecnología aplicada en 1 Gb DDR3 también será usada en la fabricación de otros componentes DRAM, como la futura generación de memorias 2 Gb (256MB) DDR3 la que estará hecha en 40nm.
Link: Hynix Introduces the Second Generation 1Gb DDR3 (Techpowerup!)