Hynix presenta segunda generación de 1Gbit DDR3 Hynix presenta segunda generación de 1Gbit DDR3

Nuevo diseño y más eficiente

Hynix presenta segunda generación de 1Gbit DDR3

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Nuevo diseño y más eficiente

La fabricante Hynix Semiconductor anuncia la segunda generación de memorias 1Gbit (128MB) en formato DDR3, la que esta basada en el proceso de 54nm. Un nuevo diseño y menor tamaño de la producción permite que esta generación sea mucho más eficiente energéticamente.

Actualmente el 87% del mercado utiliza 1Gb DDR3, por lo que la nueva revisión de Hynix viene a fortalecer más la industria de memorias de tal densidad, esperando que para el 2011 sea sólo un 50% dando paso a otras densidades de menor tamaño. Estas memorias operan con tan sólo 1.5 V, reduciendo hasta en un 30% el consumo respecto a la versión anterior.

La tecnología aplicada en 1 Gb DDR3 también será usada en la fabricación de otros componentes DRAM, como la futura generación de memorias 2 Gb (256MB) DDR3 la que estará hecha en 40nm.

LinkHynix Introduces the Second Generation 1Gb DDR3 (Techpowerup!)