GlobalFoundries Prueba HKMG en 22nm GlobalFoundries Prueba HKMG en 22nm

Por ahora son MOSFETS pero es prometedor

GlobalFoundries Prueba HKMG en 22nm

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Por ahora son MOSFETS pero es prometedor

Kyoto, Japón Global Foundries en alianza con IBM, reportó la primera demostración de una técnica que les permitirá escalar las compuertas HKMG a los nodos de 22nm y menos.

Al reducir los componentes de tamaño una parte esencial de los transistores HKMG (High K Metal Gate) llamada EOT (equivalent oxide thickness) también debe ser reducida, pero al hacer esto se puede tener el problema de pérdida de corriente y esto eleva el consumo de los chips.

Según Global Foundries, entre las ventajas que tendrá aplicar esta técnica mencionan una baja pérdida de corriente (leakage) y bajo voltaje, las cuáles darán capacidad a los clientes de GF para seguir avanzando en las aplicaciones de semiconductores más rápidos y eficientes, además de ser el único proveedor de HKMG en combinaciones Bulk y SOI (Silicio sobre aislante por sus siglas en inglés)

El proceso de HKMG + SOI está siendo preparado para entrar a toda máquina en la primera mitad de 2010, esto dejaría el proceso productivo a sólo meses atrás del gigante Intel y AMD como principal cliente de GF se verá muy beneficiado con el nuevo ritmo que toma la fundición.

Una imagen para los entendidos

 

Fuente: AMDZone y Bright Side Of News