Litografía++ = EUVL

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Como se logrará seguir la Ley de Moore luego del 2012

Si eras uno de los que se venía preguntando hace tiempo: si la técnica de litografía actual tiene sus límites físicos bastante cerca de lo que se está usando actualmente, ¿como pretenden seguir achicando el proceso de fabricación?, al fin creo haber encontrado una respuesta para contarte.

Resulta que investigadores del National Institute of Standards and Technology (NIST) descubrieron que la Fotoresistencia Ultravioleta Extrema (EUVL), técnica que reemplazará en la construcción a la litografía, será 2 veces más precisa que lo que preveían.

El proceso de EUVL es análogo a la litografía. Agarre un wafer de silicio recubierto con fotoresistencias y expongalo a luz ultravioleta extrema de manera que refleje en una foto-mascara con patrones. Donde le llega luz, la resistencia cambia su recubrimiento y propiedades y donde se pone el patrón de máscara se generan los microcircuitos. (No muy distinto al procedimiento de placas de cobre + lapiz para dibujar circuito + ácido usado por todos nosotros en laboratorio universitario, pero 10[sup]10[/sup] veces más pequeño).

La litografía hace básicamente lo mismo y la diferencia radical es que la longitud de la onda más pequeña lograda para el proceso de litografía es de cerca a 193 nm mientras que la longitud de onda de EUVL es de 13.5 nm, es decir, una reducción de 1 orden de magnitud para las ondas, indicando por ello la posibilidad de trazados de microcircuitería considerablemente menores.

Lo más chopiti son las palabras del Sr. Grantham, uno de los autores de la investigación:

“Estos resultados son significativos para una tecnología que enfrenta muchos desafíos antes de ser usada en grandes volúmenes de fabricación el 2012.”

Fuente: Science Daily