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Kingston HyperX DDR3 PC11000 CL5

DDR3, es como DDR2 más uno o como DDR1 más dos. Si no entendiste la broma, o si no entiendes de que se trata esta nueva arquitectura de RAM, te sugerimos que leas este nuevo análisis de los laboratorios de ChileHardware, un lugar donde los mecheros se ocupan para encender cigarros y las pipetas para beber cerveza.

 

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La Tecnología detrás de DDR3

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Considerando que DDR3 es una evolución a partir de DDR2, no puede ser un producto hecho a partir de cero, sino más bien es un producto que toma lo mejor de DDR2 y agrega nuevas características, lo que se traduce en una mejora del ancho de banda (1.6 Gb/s) y el consumo. Para la transición de DDR3 a DDR2 la frecuencia interna del núcleo de las memorias se mantuvo sin mayores cambios. Ahora, es necesario aumentar el ancho de banda de alguna forma para obtener los 1.6Gb/s (el doble que una memoria DDR2) en DDR3, para estos fines el bufffer de pre-carga que utiliza DDR3 es de 8 paquetes mientras que DDR2 usa un buffer de 4 paquetes, de esta forma por cada ciclo DDR3 estará procesando 8 paquetes de información que estarán disponibles para el acceso directo de las memorias y así mantener un constante flujo de datos al procesador. La forma en que trabajan los módulos DDR3 y DDR2 es descrita en la siguiente imagen – parte de los whitepapers de Intel – para luego explicar los puntos más importantes de las mejoras que traen los módulos de memoria DDR3.

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Debido a la forma de administrar los datos de los módulos DDR3 se hace necesario hacer una nivelación de información y tiempos de accesos -característica conocida como MPR (multi-purpose register) – la que por decirlo de una forma bastante vulgar, consiste en que la información es repartida a través de un canal de datos que se conecta con los distintos chips de memoria y permite enviar la información según sea necesaria, sin depender de ninguna forma del proceso previo de escritura de información. Además de ser un proceso activo y variable, permite optimizar la lectura de los datos, lo que se traduce en un aumento del ancho de banda de las memorias.

También como tecnología completamente innovadora, las memorias DDR3 incorporan un sensor térmico que le permite a estos módulos trabajar bajo dos intervalos de refresco, el primero comprende los 7.8us que trabaja bajo los 85ºC y el intervalo de refresco de 3.9us que trabaja entre 85ºC y 95ºC, esto le permite a los módulos ralentizar la tasa de refresco y así mantener más de la mitad de la energía suministrada. Esta característica es de especial utilidad para implementaciones que son muy sensibles al uso de energía, como los computadores portátiles (aumenta la duración de batería) y servidores (disminuye el consumo, por lo tanto disminuyen los costos de producción).

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