Spin Torque Transfer RAM
Antes de ir al contenido de esta noticia es mi deber señalar que el spin es una de las propiedades de los electrones, más concretamente aquella que indica la dirección de rotación del electrón.
Dicho lo anterior, les contaremos que IBM y TDK están trabajando en el desarrollo de un nuevo tipo de memoria RAM que han bautizado como Spin Torque Transfer RAM o STT-RAM.
En este tipo de memoria, se energiza un electroimán para cambiar la dirección del campo magnético que afecta a un material. El cambio de dirección del campo magnético afecta al spin de los electrones del material, lo cual a su vez afecta su resistencia eléctrica. La tecnología STT-RAM utiliza los cambios de resistencia para mapear unos y ceros, almacenando así información en el material.
Este concepto no es nuevo, pero a la fecha las otras compañías que han investigado el tema lo han encontrado demasiado complejo o derechamente inviable.
¿Llegará a ser rentable para IBM? No lo sabemos, pero al tema le faltan al menos dos años para estar maduro y poder salir a la venta.
