Samsung anuncia 16Gb NAND Flash

Samsung anuncia 16Gb NAND Flash

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La multiplicación de los peces, los panes y los Gb

El proceso de fabricación de Samsung se parece un poco al saldo de mi cuenta corriente: se está empequeñeciendo inexorablemente. Mientras para mí es motivo de consternación, para Samsung no es sino un logro del cual enorgullecerse.

Sucede que apenas 8 meses después de anunciar su proceso de fabricación de 60nm para chips NAND Flash (los cuales, como ud. supondrá, van dentro de las memorias Flash pero también de los discos híbridos), Samsung ha anunciado el debut de su proceso de 51nm.

Con este proceso, el almacenamiento máximo por chip aumenta de 8Gb (1GB) a 16Gb (2GB), con la combinación de los cuales pueden ofrecer memorias flash de hasta 16GB, toda una grosería. Adicionalmente, los productos fabricados con este proceso tienen tasas de transferencia de 30MB/s en lectura y 8MB/s en escritura, un fuerte aumento sobre los máximos del proceso de 60nm (17 y 4.4 MB/s respectivamente).

Fuente: Tech Report