Aún son prototipos, pero la empresa coreana pretende sacarlas al mercado en 2008. Usando una tecnología llamada Phase-change Random Access Memory (o PRAM para los amigos) la tarjeta puede reescribir data sin borrar la que estaba almacenada anteriormente. La PRAM es hasta 30 veces más rápida que sus antecesoras y puede guardar -en teoría- hasta 64GB. Hasta el momento las pruebas sólo se han realizado con la de 512MB.
¿Qué tal un celular con 64GB o un reproductor de MP3?.
Link: Samsung’s New NAND (CrunchGear)
