La memoria Flash está tocando techo

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Estamos en una época en que, existiendo una industria millonaria detrás de las memorias flash, hay preocupación en el medio por que más allá de los 2 Gb, la escalabilidad para seguir aumentando en capacidad se vuelve cuesta arriba.

Un nuevo tipo de memoria, llamada RRAM (con R de resistiva) podría dar inicio a una nueva generación de memoria no volátil.

La teoría del limón

No importa cuánto hayas estrujado un limón: siempre es posible sacarle aunque sea una gota más de jugo. Detrás de esta teoría se esconde uno de los grandes secretos de la vida: que no hay ningún estado lo suficientemente bueno como para no querer mejorarlo… claro que otros dicen que “lo mejor es enemigo de lo bueno” argumentando que en ocasiones, por tratar de optimizar algo que no tiene problemas, se corre el riesgo de colapsar la estabilidad anterior y quedarse sin pan ni pedazo. De nuevo, esto nos lleva a otra gran lección y esa es que no hay recetas fijas, sino que todo hay que hacerlo con criterio y sentido común.

Pero bueno, en realidad esto es pura cháchara porque las memorias no volátiles, (pese a que derivan de transistores que han pasado por 50 años de optimización) son un invento reciente y estando en pañales sería el colmo que no aspirásemos a mejorarlas. Y eso es justamente lo que se quiere hacer.

No me den agua que me oxido!

Si un borracho, en el colmo de su delirium tremens, experimentara trastornos de identidad y se convenciera de que es, en realidad, una memoria no volátil con patas, probablemente seguiría sintiendo aversión por el agua pura y cristalina con la excusa de que el vital elemento lo puede oxidar. Pues bien, ese borracho/memoria flash podría perderse la oportunidad de su vida de convertirse en Memoria Resistiva.

Tal como lo oyen, queridos contertulios, porque en atención a que las memorias flash actuales están tocando el techo de su capacidad potencial, y que las velocidades de transferencia son bastante decepcionantes, los científicos piensan que es la hora de dar un salto en esta tecnología… lo cual suena muy sencillo pero a menudo es una tarea larga y tediosa.

Afortunadamente para ellos, el camino a seguir ya está parcialmente delineado. La experimentación con la propiedad de resistencia variable de películas de óxido (son películas que no puedes ver en el cine!) promete ofrecer memorias flash de mayor densidad, menor consumo energético, mayor velocidad y menor costo de fabricación. Lo único malo es que sólo puede hacerse en color marrón “caca” así que el público le hará el quite. Naaah, esto se me acaba de ocurrir, es que siempre he pensado que el óxido es feísimo y me gusta más cuando el cobre de sulfata.

Dicen los entendidos que, aunque es raro que la industria asuma actitudes proactivas en este sentido (usualmente la gran mayoría de los productores se aferra a tecnologías conocidas y espera a que unos pocos emprendedores hagan las veces de beta-testers de todo cambio tecnológico) el negocio de las memorias flash es tan pero tan lucrativo que desde ya compañias como Sharp, Sony, Samsung, Matsushita y Winbond están adquiriendo patentes para experimentar con estas películas de óxido.

Pero óxido de qué?

Bueno, hay varios tipos de memoria RRAM y el más típico es el óxido de perovskita, una formación cristalina pseudocúbica integrada por Calcio, Titanio y, como la mayoría de los óxidos que existen, de Oxígeno.

En la universidad de Shizuoka unos científicos de Sharp crearon unas RRAM de perovskita y lograron velocidades de transferencia 1000 veces más rápidas que las memorias flash actuales, lo cual da como para pensar que si hoy la forma de los pendrives recuerda a un supositorio, mañana parecerán más bien una bala. En realidad las balas también tienen forma de supositorio, pero si te metes una bala en el trasero corres el riesgo de agacharte a recoger algo y matar a alguien. No es aconsejable.

Tal como Sharp hace lo suyo, otros fabricantes estás experimentando con otros compuestos que comparten la misma propiedad. Por ejemplo, Samsung prefirió optar por el Óxido de aleaciones basadas en níquel.

Como sea, no importa con qué experimentes mientras te mantengas experimentando, la historia no tiene registros de nadie que se haya vuelto más ignorante por tratar de aprender más, ni de nadie que haya aprendido más por el sólo hecho de quedarse echado perdiendo el tiempo, excepto claro Newton que ideó la ley de gravedad gracias a que le cayó una manzana en el mate en mitad de la siesta. Si esa es tu teoría de lo que debe hacer un buen científico, CHW te aconseja dormir siesta bajo una palmera a ver si te cae un coco y logras inventar una ley novedosa.

Fuentes:
Geek.com.
EE Times.