Teníamos razón

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Cuando AMD abrió su FAB36 en Dresden, nos preguntamos si esta instalación había sido pensada para habilitar el proceso de fabricación de 65 nm.

En ese momento AMD dijo noooo, de adonde? Pero pa variar, nuestro instinto dió en el clavo: tinimos 65nm señores.

Puntería de flaite

Con mis amigos sosteníamos que el flaite común tiene un manejo del lanzamiento de proyectiles superior al del resto de los mortales. Se vé cuando apedrean una micro o revientan los focos del alumbrado público: nunca fallan.

Aunque las protestas actuales son pacíficas (a lo más alguna vieja recibe un buen chorro de agüita de guanaco) todavía a veces se puede ver al lumpen enfrentándose a la policía. Antes era contra el gobierno, ahora es cuando pierde su equipo. Es increíble como se van frivolizando las pasiones.

En esas ocasiones, los flaites encapuchados demuestran todo su potencial punterístico cuando son capaces de poner una piedra justo en la mirilla de la micro enrejada, o meter una molotov dentro de una cuca a 40 metros de distancia. No hay caso: es la puntería de flaite.

En esta ocasión, cuando cubrimos la noticia de la inauguración de la FAB36 de AMD, en Dresden, en esta noticia, comentamos que probablemente la intención de AMD era empezar a mover líneas de fabricación de 65 nm sin interferir con la producción de 90nm, que estaba a tope. Don Héctor Ruiz dijo que no, que estaban felices con los 90nm y no veían para qué pasarse a 65. Sin embargo, no negó que parte del espacio de la FAB36 pudiera emplearse para líneas de 65nm, aunque dejó en claro que el grueso de la producción sería de 90.

Tuvimos puntería de flaite, porque hoy se supo la que AMD e IBM se tenían calladita: habemus 65 nm.

Mucha sigla

Resulta que hubo un meeting en New York con la ocasión del llamado International Electron Devices Meeting (IEDM), en donde AMD e IBM se plantaron frente a los micrófonos y anunciaron que están listos para fabricar en 65nm.

Según dijeron, consiguieron combinar Germanio de Silicio (e-SiGe) con sus obleas con tecnología Dual Stress Liner (DSL), Stress Memorization technology (SMT) y Silicon-On-Insulator (SOI). En otras palabras, le pusieron e-SiGe a wafers con DSL, SMT y SOI. Más claro imposible. En todo caso, lo importante es que con esta combinación lograron que los transistores rindan un 40% más que otro del mismo tamaño pero sin DSL, palo pa Intel.

Este nuevo proceso de fabricación, en donde de paso se prioriza la minimización de las corrientes parásitas, la generación de calor y el consumo de potencia, también reduce las latencias, al usar dieléctricos low-K (osea de baja constante dieléctrica, muchas gracias a Fedomic por su aclaración).

La nueva tecnología se investigó principalmente en la FAB36 de Dresden, y en los laboratorios de IBM ubicados en East Fishkill, New York.

La cosa es, queridos lectores, que AMD no estaba dormida en sus laureles de 90nm, sino que trabajaba duramente para dar el salto hacia el nuevo tamaño, que Intel va a empezar a vender a comienzos del 2006 con el Yonah, para ir reemplazando completamente todas sus líneas de 90nm en el transcurso del año.

Habrá que ver si, como dice AMD, efectivamente sus transistores son tan maravillosos. Una ventaja del 40% al menos debiera reflejarse en procesadores mucho más ahorrativos y fríos.

Fuente:
Digit Life