La gracia de las células de semen de los salmones es que su ADN es muy abundante y crece rápidamente.

Los científicos procedentes de la Universidad Nacional Tsing Hua, de Taiwán, y del Instituto de Tecnología de Karlsruhe, en Alemania, crearon el dispositivo a partir de una fina lámina de ADN de esperma de salmón, impregnado con átomos de plata y luego puesto entre dos electrodos. Después, al iluminarlo con luz ultravioleta, los átomos se agrupan en nanopartículas. la investigación fue publicada recientemente en Applied Physics Letters.

Estas nanopartículas atrapan electrones en su estado original, lo que lo hace eléctricamente resistente. Luego al ponerle un láser, crea pequeños senderos entre las nanopartículas, con lo que se hace eléctricamente conductivo. Entonces este láser sobre la lámina escribe información y al pasar corriente a través del film para medir la conductividad, se puede leer la información almacenada.

Con esto, los científicos esperan que su descubrimiento pudiera encaminar a nuevas técnicas para el diseño de dispositivos de almacenamiento ópticos. Cabe recordar que no se trata de la primera vez en que se sugiere la implementación del ADN en este tipo de cosas, por lo que podríamos pensar que el futuro de la computación tiene signos vitales bastante fuertes…

Link: Salmon Testes Spawn Data Storage Device (Wired)

Aunque las fábricas puedan volver a funcionar, la falta de energía, fallas en las carreteras y problemas con el transporte pueden demorar meses el que las manufacturas puedan volver a ponerse en marcha.

De acuerdo a la firma IHS iSuppli, el terremoto y sus réplicas pueden resultar en una significativa escasez de partes electrónicas, lo que redundaría en grandes alzas de precios. “Aunque hay pocos reportes de daños a las fábricas, el impacto en el transporte y la infraestructura energética resultará en interrupciones del suministro, lo que provocará escasez y subidas de precios”, dijo iSuppli.

Los componentes afectados incluirán memorias flash NAND, DRAM, microcontroladores, pantallas LCD, además de partes y materiales para LCD. Los precios de las memorias NAND subieron casi 3%  hoy después de registrar un alza de 20% el lunes, mientras que las DRAM subió 0,2% el martes y 7% el lunes.

Japón fabrica un quinto de la producción mundial de semiconductores, incluyendo un 40% de las memorias flash que se usan en celulares, tablets y computadores… lo que puede redundar en escasez de iPads, teléfonos y otros.

Entre los grandes fabricantes, Toshiba, que fabrica un tercio de las memorias flash NAND del mundo, todavía tiene una planta cerrada, sin estimaciones de cuándo se reabrirá. Texas Instruments tiene dos plantas cerradas e indicó que espera volver a producir al 100% recién en julio. Varias empresas indicaron que tienen inventario suficiente para seguir cumpliendo con sus entregas por algún tiempo, pero la incertidumbre respecto de cuándo se podrá volver a producir de nuevo mantiene las dudas. Algunos fabricantes también comenzaron a cotizar con productores alternativos fuera de Japón (en Singapur y Corea del Sur).

Link: Chip prices jump as Japan disaster hits tech supplies (Reuters)

Si bien en la actualidad los dispositivos de almacenamiento sólido (SSD) basados en memorias NAND son una clara alternativa respecto a los discos duros tradicionales, ya se encuentra en desarrollo una nueva tecnología que promete un aumento considerable de rendimiento, capacidad y fiabilidad.

Las memorias NAND en la actualidad son utilizadas en una amplia gama de dispositivos, desde los ya mencionados discos SSD pasando por teléfonos celulares, dispositivos móviles y cámaras digitales. Una de sus virtudes es su capacidad de mantener almacenados los datos incluso cuando no se encuentran conectadas a una fuente de energía, pero como contraparte no son muy rápidas debido a los sistemas de detección y corrección de errores (ECC) que poseen.

Pero dicha falencia podría quedar en el olvido gracias a las memorias ReRAM (Resistive Random Access Memory), las que prometen un incremento en el rendimiento que podría alcanzar unas 10.000 veces en comparación con las actuales soluciones.

El desarrollo de esta nueva tecnología estaría a cargo de las compañías Sharp y Elpida, aunque otras compañías fabricantes ya habrían mostrado su interés para participar del proyecto.

Según sus inventores la producción en masa de este tipo de memorias podría comenzar en el año 2013, aunque para que eso suceda deberá demostrar su superioridad respecto a otras tecnologías que también se encuentran en desarrollo.

Link: Next-Gen Chip Could Make Memory 10,000 Times Faster (IndustryWeek)

Memristor

Científicos de Hewlett-Packard están reportando avances en el diseño de una nueva clase de interruptores  diminutos capaces de sustituir los transistores de chips a una escala atómica.

Estos dispositivos conocidos como memristores (memoria/resistencia) fueron concebidos en 1971 por Leon Chua, un ingeniero eléctrico en la Universidad de California, pero no fue hasta el 2008 que un equipo de HP Labs logró su implementación física.

Ahora, HP dice que está en buen camino para desarrollar una tecnología de almacenamiento capaz de empaquetar 20GB en un centímetro cuadrado. El sistema emplea memristores, donde una película ultrafina de óxido de titanio es inyectada  con una corriente eléctrica para mover átomos individuales y así cambiar la resistencia del material. El equipo de HP no solo ha logrado crear un arreglo tridimensional de memristores (que trabajan de forma similar a la sinapsis cerebral), también han aumentado la velocidad de conmutación para coincidir con la de los transistores de silicio tradicionales.

La principal ventaja es el tamaño ya que las actuales memorias basadas en transistores se fabrican en procesos de 30-40nm, y HP ha logrado crear memristores de tan solo 3nm  que puede encender y apagar en  un nanosegundo. Por lo tanto el Dr. Stan Williams dice que es posible tener 20GB en un centímetro cuadrado en menos de tres años.

La tecnología tiene el potencial para escalar significativamente los límites de almacenamiento de los transistores, al mismo tiempo que promete reducir el consumo de energía, ya que una vez que los átomos se han movido no requieren de electricidad para mantener su estado.

Incluso HP considera que esta tecnología es mejor que la empleada en las memorias de cambio de fase de IBM que prometían ser las sucesoras de las memorias flash.

Link: HP Memristor tech promises 20GB sugar cube in three years (Slashgear)

Gracias al descubrimiento de nuevos componentes para la fabricación de memorias, denominados memristors (memory-resistors), en un futuro cercano podríamos tener un nuevo tipo de memoria de bajo costo y con una alta densidad.

Un grupo de investigadores de la Universidad de California ha logrado integrar estos memristors en memorias de alta densidad y bajo costo, por medio de la utilización de una delgada capa de óxido de Vanadio.

Nuestra electrónica actual se basa en tres tipos de componentes: los resistores, los inductores y los capacitores. Pero desde hace varios años que se viene investigando a un cuarto componente, el Memristor.

Este cuarto componente posee la propiedad de “memorizar” cualquier corriente que circule por él, incluso después que se haya cortado la energía. Por si fuera poco, el memristor es mucho más rápido que las memorias flash existentes en la actualidad, por lo que podrían reemplazar perfectamente a los discos duros, las memorias RAM y claro, los discos SSD.

Otra “gracia” descubierta en los memristors es que no sólo son capaces de recordar corrientes binarias (0 o 1), sino que también son capaces de reconocer un estado analógico, por lo que podrían ser utilizados en equipos que requieran manejar datos con lógica difusa, como serían los que se utilizan en el desarrollo de redes neuronales.

Las memorias creadas utilizando este nuevo componente reciben el nombre de RRAM (Resistive Random Access Memory) y prometen ser una revolución en el mercado.

Links:

• Memristors made into low cost, high density RRAM (vía Slashdot)
• Memristor

Por allá por el año 2005 los PowerBook G4 eran la estrella de la corona de Apple, pero esta condición no duro mucho producto de una cantidad importante de usuarios que comenzaron a tener problemas con sus equipos.

Específicamente el problema estaba relacionado con las ranuras donde van las memorias RAM de dichos portátiles, ya que luego de un tiempo de instalar módulos adicionales de memoria en los equipos, estos comenzaban a presentar fallas que incluso, en algunos casos, llegaron a que los equipos ni siquiera lograran encender.

Al ver la cantidad de reclamos y la gravedad del problema, Apple decidió extender la garantía de estos hasta el año 2006, pero igual siguieron apareciendo usuarios con el problema y que no estaban cubiertos por la extensión de la garantía, por lo que ahora se están organizando para demandar a Apple con el objeto que sean indemnizados.

Link: Class action suit filed over PowerBook G4 memory slots (Ars Technica)

La empresa Super Talent, con base en San Jose, California, presentará hoy su nueva línea de memorias USB bajo el nombre de Luxio, las cuales estarán disponibles en 16GB, 32GB y 64GB de capacidad.

La serie Luxio es compatible con USB 1.1 y 2.0 y tiene un velocidad de transferencia de hasta 30 MB/sec. En cuanto a seguridad, posee encriptación AES-256 tanto por hardware como por software.

Y no por nada le pusieron el nombre de Luxio, ya que como pueden ver su diseño es muy atractivo, viene empacado en una caja muy bien presentada y además trae como accesorio un estuche de cuero para transportarlo.

La memoria de 64GB tendrá un precio de USD$149 y toda la línea estará a la venta en Estados Unidos esta semana.

Link: Super Talent Rolls Out Luxio 64GB USB Drives (Super Talent)

Super Talent acaba de agregar un nuevo modelo a su ya súper amplia colección de memorias USB excéntricas.

En este caso se trata de un flash drive -pendrive- USB cuya forma es la réplica de un guerrero Terra Cotta de Xi’an, aquellos que fueron encontrados allá por 1974 durante una excavación en la ciudad de Xi’an, China.

El modelo tiene un tamaño de 67 x 24 x 20 mm, soporte para USB 1.1 y 2.0, protección por contraseña y está disponible en capacidades desde 1 hasta 8GB.

Todo muy lindo, pero me parece bastante incómodo de usar, sobre todo en las laptops donde los puertos USB están muy juntos.

Link: Life-like Terra Cotta Warrior USB Drive (Super Talent News)

Apenas ayer comentábamos de las nuevas tarjetas flash de SanDisk, y hoy Panasonic hace lo propio, pero con capacidades muy diferentes (y me refiero a su almacenamiento). Las tarjetas son SDHC Clase 4 con 6GB y 12GB de capacidad que, según Panasonic, son capaces de almacenar hasta 90 y 180 minutos de contenido en alta definición, respectivamente.

La decisión de optar por estas medidas, en lugar de las tradicionales 4, 8 y 16GB, es para poder ofrecer otras opciones a los consumidores, a un costo intermedio. El precio de estos modelos es de USD$36,74 para la de 6GB y USD$74,36 para la de 12GB. Disponibles en México a partir de octubre, la disponibilidad en el resto de Latinoamérica no debe de variar mucho.

Link: Panasonic (Panasonic de México)

SanDisk no se quiere quedar atrás en la carrera de las tarjetas de memoria, y para muestra han presentado la SanDisk Extreme IV CompactFlash que es un 12.5% más rápido que modelos anteriores. La velocidad que alcanza llega a los 45MB/s, y almacena hasta 16GB de información.

Este tarjeta es compatible con todos los modelos de cámaras digitales que soporten CompactFlash, incluso los modelos más recientes con soporte UDMA.

¿Para que podrías necesitar una tarjeta tan rápida y con esa capacidad? El objetivo de SandDisk son los fotógrafos profesionales que requieren de velocidad continua, y mucha capacidad, al sacar fotos en RAW o RAW+JPG, así que si entras en esa descripción, esta SandDisk Extreme IV, te caería muy bien.

Pero no todo es bonito, el precio sugerido es de USD$399,99

Link: SanDisk (SanDisk)

Samsung está con muchas ganas de comprar al fabricante de memorias flash SanDisk. Este amor incondicional llega a tal punto que está considerando pagar muucho dinero a la empresa valorada en US$3.200 millones.

Si esto se concreta, Samsung abarcaría un mercado en el que los precios de las memorias flash, usadas en cámaras digitales, teléfonos móviles y reproductores de música, están bajando drásticamente.

Por otro lado, el posible acuerdo reduciría los costos de licencia de Samsung, ya que SanDisk  inventó y tiene las patentes para y de las tarjetas de almacenamiento CompactFlash y SD.

Además inventó la tecnología Multi-Level Cell (MLC) que eleva la capacidad de almacenamiento de las memorias NAND.

Link: SanDisk Shares Surge as Samsung Considers Acquisition (Bloomberg)